ON Semiconductor - NTLJS3113PTAG

KEY Part #: K6408426

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    Artikelnummer:
    NTLJS3113PTAG
    Hersteller:
    ON Semiconductor
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WDFN.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Leistungstreibermodule, Transistoren - spezieller Zweck, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - RF, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor NTLJS3113PTAG elektronische Komponenten. NTLJS3113PTAG kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu NTLJS3113PTAG haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    NTLJS3113PTAG Produkteigenschaften

    Artikelnummer : NTLJS3113PTAG
    Hersteller : ON Semiconductor
    Beschreibung : MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WDFN
    Serie : -
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : P-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3.5A (Ta)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 40 mOhm @ 3A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 15.7nC @ 4.5V
    Vgs (Max) : ±8V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1329pF @ 16V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 700mW (Ta)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Supplier Device Package : 6-WDFN (2x2)
    Paket / fall : 6-WDFN Exposed Pad

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