FCB199N65S3 Preise (USD) [68634Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- FCB199N65S3
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 650V 14A D2PAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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FCB199N65S3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FCB199N65S3
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 650V 14A D2PAK
Serie :
SuperFET® III
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
14A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
199 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 1.4mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
30nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1225pF @ 400V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
98W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
D²PAK (TO-263)
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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