SQ4920EY-T1_GE3 Preise (USD) [109266Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SQ4920EY-T1_GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Wettbewerbsvorteil:
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SQ4920EY-T1_GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SQ4920EY-T1_GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
14.5 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
30nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1465pF @ 15V
Leistung max :
4.4W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
8-SO
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