ON Semiconductor - FQU8N25TU

KEY Part #: K6410853

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    Artikelnummer:
    FQU8N25TU
    Hersteller:
    ON Semiconductor
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 250V 6.2A IPAK.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - RF, Transistoren - JFETs, Thyristoren - Thyristoren and Transistoren - Bipolar (BJT) - RF ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FQU8N25TU elektronische Komponenten. FQU8N25TU kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FQU8N25TU haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FQU8N25TU Produkteigenschaften

    Artikelnummer : FQU8N25TU
    Hersteller : ON Semiconductor
    Beschreibung : MOSFET N-CH 250V 6.2A IPAK
    Serie : QFET®
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 250V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6.2A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 550 mOhm @ 3.1A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±30V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 530pF @ 25V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 2.5W (Ta), 50W (Tc)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Through Hole
    Supplier Device Package : I-PAK
    Paket / fall : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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