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- Artikelnummer:
- BSS87E6327T
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - spezieller Zweck, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Leistungstreibermodule, Transistoren - IGBTs - Module, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln and Transistoren - IGBTs - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
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BSS87E6327T Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BSS87E6327T
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89
Serie :
SIPMOS®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
240V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
260mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6 Ohm @ 260mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.8V @ 108µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
5.5nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
97pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-SOT89-4-2
Paket / fall :
TO-243AA
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