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Microsemi Corporation - JAN1N5615

KEY Part #: K6426962

JAN1N5615 Preise (USD) [16011Stück Lager]

  • 1 pcs$2.57389
  • 179 pcs$2.51110
Artikelnummer:
JAN1N5615
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL. Zener Diodes D MET 1A FAST 200V
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - JFETs, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation JAN1N5615 elektronische Komponenten. JAN1N5615 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu JAN1N5615 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N5615 Produkteigenschaften

Artikelnummer : JAN1N5615
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
Serie : Military, MIL-PRF-19500/429
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.6V @ 3A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 150ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 500nA @ 200V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : A, Axial
Supplier Device Package : -
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 175°C

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