ON Semiconductor - HGTG40N60B3

KEY Part #: K6422846

HGTG40N60B3 Preise (USD) [7639Stück Lager]

  • 1 pcs$5.39417
  • 450 pcs$3.98297

Artikelnummer:
HGTG40N60B3
Hersteller:
ON Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
IGBT 600V 70A 290W TO247.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - Brückengleichrichter, Dioden - RF, Leistungstreibermodule, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - Zener - Single and Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor HGTG40N60B3 elektronische Komponenten. HGTG40N60B3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu HGTG40N60B3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HGTG40N60B3 Produkteigenschaften

Artikelnummer : HGTG40N60B3
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : IGBT 600V 70A 290W TO247
Serie : -
Teilestatus : Not For New Designs
IGBT-Typ : -
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 600V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 70A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) : 330A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2V @ 15V, 40A
Leistung max : 290W
Energie wechseln : 1.05mJ (on), 800µJ (off)
Eingabetyp : Standard
Gate Charge : 250nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C : 47ns/170ns
Testbedingung : 480V, 40A, 3 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) : -
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : TO-247-3
Supplier Device Package : TO-247