Infineon Technologies - SIDC30D120H8X1SA4

KEY Part #: K6431443

SIDC30D120H8X1SA4 Preise (USD) [18300Stück Lager]

  • 1 pcs$2.25198

Artikelnummer:
SIDC30D120H8X1SA4
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 1.2KV 50A WAFER.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - RF, Dioden - Zener - Single, Transistoren - IGBTs - Single, Thyristoren - SCRs - Module and Dioden - Gleichrichter - Arrays ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies SIDC30D120H8X1SA4 elektronische Komponenten. SIDC30D120H8X1SA4 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SIDC30D120H8X1SA4 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIDC30D120H8X1SA4 Produkteigenschaften

Artikelnummer : SIDC30D120H8X1SA4
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : DIODE GEN PURP 1.2KV 50A WAFER
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 1200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 50A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.97V @ 50A
Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 27µA @ 1200V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : Die
Supplier Device Package : Sawn on foil
Betriebstemperatur - Übergang : -40°C ~ 175°C

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