Infineon Technologies - SIDC30D120H8X1SA4

KEY Part #: K6431443

SIDC30D120H8X1SA4 Preise (USD) [18300Stück Lager]

  • 1 pcs$2.25198

Artikelnummer:
SIDC30D120H8X1SA4
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 1.2KV 50A WAFER.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Leistungstreibermodule, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - JFETs and Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann ...
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIDC30D120H8X1SA4 Produkteigenschaften

Artikelnummer : SIDC30D120H8X1SA4
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : DIODE GEN PURP 1.2KV 50A WAFER
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 1200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 50A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.97V @ 50A
Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 27µA @ 1200V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : Die
Supplier Device Package : Sawn on foil
Betriebstemperatur - Übergang : -40°C ~ 175°C

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