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- Artikelnummer:
- SSM3K318T,LF
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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SSM3K318T,LF Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SSM3K318T,LF
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
Serie :
U-MOSIV
Teilestatus :
Discontinued at Digi-Key
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
2.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
107 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
7nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
235pF @ 30V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
700mW (Ta)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TSM
Paket / fall :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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