Taiwan Semiconductor Corporation - HS3KB R5G

KEY Part #: K6442852

HS3KB R5G Preise (USD) [616894Stück Lager]

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Artikelnummer:
HS3KB R5G
Hersteller:
Taiwan Semiconductor Corporation
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AA. Rectifiers 3A,800V, GP HIGH EFFICIENT SMD RECTIFIER
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - JFETs, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistoren - Programmierbare Einheit ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Taiwan Semiconductor Corporation HS3KB R5G elektronische Komponenten. HS3KB R5G kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu HS3KB R5G haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HS3KB R5G Produkteigenschaften

Artikelnummer : HS3KB R5G
Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung : DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AA
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 800V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 3A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 75ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 800V
Kapazität @ Vr, F : 50pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : DO-214AA, SMB
Supplier Device Package : DO-214AA (SMB)
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C

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