DMT3009LFVWQ-7 Preise (USD) [300633Stück Lager]
- 1 pcs$0.12303
- Artikelnummer:
- DMT3009LFVWQ-7
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET BVDSS 25V-30V POWERDI333.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - Zener - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Diodes Incorporated DMT3009LFVWQ-7 elektronische Komponenten. DMT3009LFVWQ-7 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu DMT3009LFVWQ-7 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
DMT3009LFVWQ-7 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMT3009LFVWQ-7
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET BVDSS 25V-30V POWERDI333
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
12A (Ta), 50A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
3.8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11 mOhm @ 14.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
12nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
823pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.3W (Ta), 35.7W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount, Wettable Flank
Supplier Device Package :
PowerDI3333-8
Paket / fall :
8-PowerVDFN
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