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Microsemi Corporation - 1N6080US

KEY Part #: K6444278

[2504Stück Lager]

    Artikelnummer:
    1N6080US
    Hersteller:
    Microsemi Corporation
    Detaillierte Beschreibung:
    DIODE GEN PURP 100V 2A G-MELF.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - IGBTs - Module, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays and Leistungstreibermodule ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation 1N6080US elektronische Komponenten. 1N6080US kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu 1N6080US haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    1N6080US Produkteigenschaften

    Artikelnummer : 1N6080US
    Hersteller : Microsemi Corporation
    Beschreibung : DIODE GEN PURP 100V 2A G-MELF
    Serie : -
    Teilestatus : Discontinued at Digi-Key
    Diodentyp : Standard
    Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 100V
    Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 2A
    Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.5V @ 37.7A
    Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Reverse Recovery Time (trr) : 30ns
    Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 100V
    Kapazität @ Vr, F : -
    Befestigungsart : Surface Mount
    Paket / fall : SQ-MELF, G
    Supplier Device Package : G-MELF (D-5C)
    Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 155°C

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