PMXB65UPEZ Preise (USD) [1048445Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- PMXB65UPEZ
- Hersteller:
- Nexperia USA Inc.
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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PMXB65UPEZ Produkteigenschaften
Artikelnummer :
PMXB65UPEZ
Hersteller :
Nexperia USA Inc.
Beschreibung :
MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
3.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
72 mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
12nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
634pF @ 6V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
317mW (Ta), 8.33W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
DFN1010D-3
Paket / fall :
3-XDFN Exposed Pad
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