FDD3860 Preise (USD) [176023Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- FDD3860
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FDD3860 elektronische Komponenten. FDD3860 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FDD3860 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
FDD3860 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FDD3860
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK
Serie :
PowerTrench®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
6.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
36 mOhm @ 5.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
31nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1740pF @ 50V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
3.1W (Ta), 69W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
D-PAK (TO-252AA)
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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