APTGT200DA120D3G Preise (USD) [1165Stück Lager]
- 1 pcs$37.14864
- 100 pcs$35.24754
- Artikelnummer:
- APTGT200DA120D3G
- Hersteller:
- Microsemi Corporation
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT 1200V 300A 1050W D3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Leistungstreibermodule, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - JFETs, Dioden - RF and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt ...
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APTGT200DA120D3G Produkteigenschaften
Artikelnummer :
APTGT200DA120D3G
Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
IGBT 1200V 300A 1050W D3
Serie :
-
Teilestatus :
Active
IGBT-Typ :
Trench Field Stop
Aufbau :
Single
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
300A
Leistung max :
1050W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
2.1V @ 15V, 200A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) :
6mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce :
14nF @ 25V
Eingang :
Standard
NTC-Thermistor :
No
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Chassis Mount
Paket / fall :
D-3 Module
Supplier Device Package :
D3
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