Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 80V 49.8A TO-3P
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
49.8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
34 mOhm @ 24.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
50nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1430pF @ 25V
Verlustleistung (max.) :
163W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-3P
Paket / fall :
TO-3P-3, SC-65-3