ON Semiconductor - SGS5N60RUFDTU

KEY Part #: K6424369

[9333Stück Lager]


    Artikelnummer:
    SGS5N60RUFDTU
    Hersteller:
    ON Semiconductor
    Detaillierte Beschreibung:
    IGBT 600V 8A 35W TO220F.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - RF, Thyristoren - SCRs - Module, Leistungstreibermodule, Dioden - Zener - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann and Transistoren - Bipolar (BJT) - Single ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor SGS5N60RUFDTU elektronische Komponenten. SGS5N60RUFDTU kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SGS5N60RUFDTU haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SGS5N60RUFDTU Produkteigenschaften

    Artikelnummer : SGS5N60RUFDTU
    Hersteller : ON Semiconductor
    Beschreibung : IGBT 600V 8A 35W TO220F
    Serie : -
    Teilestatus : Obsolete
    IGBT-Typ : -
    Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 600V
    Stromabnehmer (Ic) (max.) : 8A
    Strom - Kollektor gepulst (Icm) : 15A
    Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.8V @ 15V, 5A
    Leistung max : 35W
    Energie wechseln : 88µJ (on), 107µJ (off)
    Eingabetyp : Standard
    Gate Charge : 16nC
    Td (ein / aus) bei 25 ° C : 13ns/34ns
    Testbedingung : 300V, 5A, 40 Ohm, 15V
    Reverse Recovery Time (trr) : 55ns
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Through Hole
    Paket / fall : TO-220-3 Full Pack
    Supplier Device Package : TO-220F