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GeneSiC Semiconductor - 1N1190R

KEY Part #: K6425709

1N1190R Preise (USD) [11842Stück Lager]

  • 1 pcs$3.48004
  • 100 pcs$1.93533
Artikelnummer:
1N1190R
Hersteller:
GeneSiC Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP REV 600V 35A DO5. Rectifiers 600V 35A REV Leads Std. Recovery
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - IGBTs - Arrays and Thyristoren - DIACs, SIDACs ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf GeneSiC Semiconductor 1N1190R elektronische Komponenten. 1N1190R kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu 1N1190R haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N1190R Produkteigenschaften

Artikelnummer : 1N1190R
Hersteller : GeneSiC Semiconductor
Beschreibung : DIODE GEN PURP REV 600V 35A DO5
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard, Reverse Polarity
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 35A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.2V @ 35A
Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 50V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Chassis, Stud Mount
Paket / fall : DO-203AB, DO-5, Stud
Supplier Device Package : DO-5
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 190°C
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