IAUS300N08S5N012ATMA1 Preise (USD) [22132Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IAUS300N08S5N012ATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 80V 300A PG-HSOG-8-1.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - Zener - Arrays, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - IGBTs - Arrays, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays and Thyristoren - DIACs, SIDACs ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IAUS300N08S5N012ATMA1 elektronische Komponenten. IAUS300N08S5N012ATMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IAUS300N08S5N012ATMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IAUS300N08S5N012ATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IAUS300N08S5N012ATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 80V 300A PG-HSOG-8-1
Serie :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
300A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.8V @ 275µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
231nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
16250pF @ 40V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
375W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-HSOG-8-1
Paket / fall :
8-PowerSMD, Gull Wing
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