Infineon Technologies - FF200R17KE4HOSA1

KEY Part #: K6534457

FF200R17KE4HOSA1 Preise (USD) [785Stück Lager]

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Artikelnummer:
FF200R17KE4HOSA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
IGBT MODULE VCES 1200V 200A.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - TRIACs, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - JFETs and Dioden - Brückengleichrichter ...
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FF200R17KE4HOSA1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : FF200R17KE4HOSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : IGBT MODULE VCES 1200V 200A
Serie : -
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : Trench Field Stop
Aufbau : 2 Independent
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1700V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 310A
Leistung max : 1250W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.3V @ 15V, 200A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce : 18nF @ 25V
Eingang : Standard
NTC-Thermistor : No
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Module
Supplier Device Package : Module

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