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- Artikelnummer:
- TPS1120DR
- Hersteller:
- Texas Instruments
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Programmierbare Einheit, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt and Dioden - Zener - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Texas Instruments TPS1120DR elektronische Komponenten. TPS1120DR kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu TPS1120DR haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
TPS1120DR Produkteigenschaften
Artikelnummer :
TPS1120DR
Hersteller :
Texas Instruments
Beschreibung :
MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
15V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
1.17A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
180 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
5.45nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Leistung max :
840mW
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
8-SOIC
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