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- Artikelnummer:
- S1FLB-GS18
- Hersteller:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detaillierte Beschreibung:
- DIODE GP 100V 700MA DO219AB. Rectifiers GENPURP SWITCHING DIODESMFDO219ECO-e3
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Programmierbare Einheit, Thyristoren - Thyristoren, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - IGBTs - Module, Dioden - Zener - Single and Leistungstreibermodule ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Semiconductor Diodes Division S1FLB-GS18 elektronische Komponenten. S1FLB-GS18 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu S1FLB-GS18 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
S1FLB-GS18 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
S1FLB-GS18
Hersteller :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung :
DIODE GP 100V 700MA DO219AB
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
100V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
700mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
1.1V @ 1A
Geschwindigkeit :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
1.8µs
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
10µA @ 100V
Kapazität @ Vr, F :
4pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
DO-219AB
Supplier Device Package :
DO-219AB (SMF)
Betriebstemperatur - Übergang :
-55°C ~ 150°C
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- MR756G
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- BAS21TA
- SS36HE3_A/I
- MBRS1100T3H
- BAT43-L0 A0G
- IDW30E60AFKSA1
- STPSC10H065G-TR
- RM 11CV
- NRVS3GB
- GP10JE-E3/73
- GL41J-E3/97
- BY206GP-E3/54
- LS101C-GS18