IRFZ34STRLPBF Preise (USD) [63681Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IRFZ34STRLPBF
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Thyristoren - TRIACs, Thyristoren - DIACs, SIDACs and Transistoren - Programmierbare Einheit ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix IRFZ34STRLPBF elektronische Komponenten. IRFZ34STRLPBF kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRFZ34STRLPBF haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IRFZ34STRLPBF Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRFZ34STRLPBF
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
30A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
50 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
46nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1200pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
3.7W (Ta), 88W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
D2PAK
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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