NTB082N65S3F Preise (USD) [19405Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- NTB082N65S3F
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- SUPERFET3 650V D2PAK PKG.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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NTB082N65S3F Produkteigenschaften
Artikelnummer :
NTB082N65S3F
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
SUPERFET3 650V D2PAK PKG
Serie :
SuperFET® III
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
40A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
82 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 4mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
81nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3410pF @ 400V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
313W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
D²PAK (TO-263)
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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