STMicroelectronics - STB35N65M5

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STB35N65M5 Preise (USD) [20056Stück Lager]

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Artikelnummer:
STB35N65M5
Hersteller:
STMicroelectronics
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 27A D2PAK.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STB35N65M5 Produkteigenschaften

Artikelnummer : STB35N65M5
Hersteller : STMicroelectronics
Beschreibung : MOSFET N-CH 650V 27A D2PAK
Serie : MDmesh™ V
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 27A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 98 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 83nC @ 10V
Vgs (Max) : ±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3750pF @ 100V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 160W (Tc)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : D2PAK
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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