SBR2A40P1-7 Preise (USD) [618813Stück Lager]
- 1 pcs$0.05977
- 3,000 pcs$0.05384
- 6,000 pcs$0.05058
- 15,000 pcs$0.04731
- 30,000 pcs$0.04340
- Artikelnummer:
- SBR2A40P1-7
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- DIODE SBR 40V 2A POWERDI123. Schottky Diodes & Rectifiers 2.0A 40V Low VF
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - RF, Transistoren - Programmierbare Einheit, Leistungstreibermodule, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt and Transistoren - IGBTs - Module ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Diodes Incorporated SBR2A40P1-7 elektronische Komponenten. SBR2A40P1-7 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SBR2A40P1-7 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SBR2A40P1-7 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SBR2A40P1-7
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
DIODE SBR 40V 2A POWERDI123
Serie :
SBR®
Teilestatus :
Active
Diodentyp :
Super Barrier
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
40V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
2A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
500mV @ 2A
Geschwindigkeit :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
100µA @ 40V
Kapazität @ Vr, F :
-
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
POWERDI®123
Supplier Device Package :
PowerDI™ 123
Betriebstemperatur - Übergang :
-65°C ~ 150°C
Neuesten Nachrichten
Sie könnten auch interessiert sein an
-
RGL34B-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
-
RGL34D-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
-
RGL34B-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
-
RGL34J-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM
-
BYM07-200-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 200 Volt
-
BYM07-100-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 100 Volt
Heiße Teile
- SBYV26C-5001M3/73
- EGP10DHM3/73
- CD0805-B140
- RC 2V1
- 1N648-1
- S42100F
- DSA26G
- CDBMT280-HF
- STPS20SM100SG-TR
- IDT04S60CHKSA1
- R5110410XXWA
- QRS1220T30
- R36100
- GUR460-E3/54
- 1N4948GP/54
- 1N4005GPHE3/54
- FGP50CHE3/73
- FGP10BHE3/73
- IDD09SG60CXTMA1
- S3580
- PR1001L-T
- VS-12TQ035STRRPBF
- BYT03-400RL
- 1N3070
- 1N4005GP
- DL4004-TP
- RS1G/1
- RS2GA-13
- 8EWF12STR
- VSKE320-20
- S25120
- IRD3909
- DL4935-13
- SR102-T
- SF12-AP
- FES16CT-E3/45
- ESH1PDHM3/84A
- RB060MM-40TR
- GL41GHE3/97
- RF081M2STR