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- Artikelnummer:
- IRF6892STR1PBF
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 25V 28A S3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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IRF6892STR1PBF Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRF6892STR1PBF
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 25V 28A S3
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
28A (Ta), 125A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.7 mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 50µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
25nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2510pF @ 13V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.1W (Ta), 42W (Tc)
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
DIRECTFET™ S3C
Paket / fall :
DirectFET™ Isometric S3C
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