TK50P03M1(T6RSS-Q) Preise (USD) [275630Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- TK50P03M1(T6RSS-Q)
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 50A DP TO252-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Leistungstreibermodule, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - spezieller Zweck, Thyristoren - DIACs, SIDACs and Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Toshiba Semiconductor and Storage TK50P03M1(T6RSS-Q) elektronische Komponenten. TK50P03M1(T6RSS-Q) kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu TK50P03M1(T6RSS-Q) haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
TK50P03M1(T6RSS-Q) Produkteigenschaften
Artikelnummer :
TK50P03M1(T6RSS-Q)
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 50A DP TO252-3
Serie :
U-MOSVI-H
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
50A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7.5 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.3V @ 200µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
25.3nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1700pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
47W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
DP
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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