Infineon Technologies - SPD15P10PLGBTMA1

KEY Part #: K6419417

SPD15P10PLGBTMA1 Preise (USD) [110816Stück Lager]

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Artikelnummer:
SPD15P10PLGBTMA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt and Dioden - Brückengleichrichter ...
Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SPD15P10PLGBTMA1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : SPD15P10PLGBTMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3
Serie : SIPMOS®
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 15A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 200 mOhm @ 11.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1.54mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 62nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1490pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 128W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PG-TO252-3
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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