Taiwan Semiconductor Corporation - HS1J M2G

KEY Part #: K6426329

HS1J M2G Preise (USD) [1319804Stück Lager]

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Artikelnummer:
HS1J M2G
Hersteller:
Taiwan Semiconductor Corporation
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC. Rectifiers 75ns 1A 600V Hi Eff Recov Rectifier
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Thyristoren - TRIACs, Dioden - Gleichrichter - Single, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - IGBTs - Single and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt ...
Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HS1J M2G Produkteigenschaften

Artikelnummer : HS1J M2G
Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung : DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 1A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 75ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 5µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : DO-214AC, SMA
Supplier Device Package : DO-214AC (SMA)
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C

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