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- Artikelnummer:
- RFN30TS6SGC11
- Hersteller:
- Rohm Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- DIODE GEN PURP 600V 30A TO247. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600V Vrm 30A Io Recovery Diode
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- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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RFN30TS6SGC11 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
RFN30TS6SGC11
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 600V 30A TO247
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
30A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
1.55V @ 30A
Geschwindigkeit :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
60ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
10µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F :
-
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
TO-247-3
Supplier Device Package :
TO-247
Betriebstemperatur - Übergang :
150°C (Max)
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- LSM345JE3
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- VS-1N5819
- 241NQ045R
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- RL103-AP
- ER303-AP
- RO 2CV1
- RU 3AV1
- S10MC M6G
- ES3A M6G