DMTH6016LFDFWQ-13 Preise (USD) [280701Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DMTH6016LFDFWQ-13
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET BVDSS 41V-60V U-DFN2020-.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - RF, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - IGBTs - Single, Thyristoren - Thyristoren, Thyristoren - TRIACs and Leistungstreibermodule ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Diodes Incorporated DMTH6016LFDFWQ-13 elektronische Komponenten. DMTH6016LFDFWQ-13 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu DMTH6016LFDFWQ-13 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
DMTH6016LFDFWQ-13 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMTH6016LFDFWQ-13
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET BVDSS 41V-60V U-DFN2020-
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
9.4A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
18 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
15.3nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
925pF @ 30V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1.06W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
U-DFN2020-6
Paket / fall :
6-UDFN Exposed Pad
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