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- Artikelnummer:
- FDS2672-F085
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-SOIC.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - Zener - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - Programmierbare Einheit, Leistungstreibermodule, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF and Dioden - Gleichrichter - Single ...
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FDS2672-F085 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FDS2672-F085
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-SOIC
Serie :
Automotive, AEC-Q101, UltraFET™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
3.9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
70 mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
46nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2535pF @ 100V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.5W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-SOIC
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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