Taiwan Semiconductor Corporation - UG06DHA0G

KEY Part #: K6430974

UG06DHA0G Preise (USD) [755728Stück Lager]

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Artikelnummer:
UG06DHA0G
Hersteller:
Taiwan Semiconductor Corporation
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 200V 600MA TS-1.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

UG06DHA0G Produkteigenschaften

Artikelnummer : UG06DHA0G
Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung : DIODE GEN PURP 200V 600MA TS-1
Serie : Automotive, AEC-Q101
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 600mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 950mV @ 600mA
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 15ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 5µA @ 200V
Kapazität @ Vr, F : 9pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : T-18, Axial
Supplier Device Package : TS-1
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C

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