Diodes Incorporated - DDTB142JU-7-F

KEY Part #: K6527074

DDTB142JU-7-F Preise (USD) [1370277Stück Lager]

  • 1 pcs$0.02699
  • 3,000 pcs$0.01387
  • 6,000 pcs$0.01251
  • 15,000 pcs$0.01088
  • 30,000 pcs$0.00979
  • 75,000 pcs$0.00870
  • 150,000 pcs$0.00723

Artikelnummer:
DDTB142JU-7-F
Hersteller:
Diodes Incorporated
Detaillierte Beschreibung:
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Leistungstreibermodule and Thyristoren - SCRs - Module ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Diodes Incorporated DDTB142JU-7-F elektronische Komponenten. DDTB142JU-7-F kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu DDTB142JU-7-F haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DDTB142JU-7-F Produkteigenschaften

Artikelnummer : DDTB142JU-7-F
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
Serie : -
Teilestatus : Active
Transistortyp : PNP - Pre-Biased
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 500mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 50V
Widerstand - Basis (R1) : 470 Ohms
Widerstand - Emitterbasis (R2) : 10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce : 56 @ 50mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic : 300mV @ 2.5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 500nA
Frequenz - Übergang : 200MHz
Leistung max : 200mW
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SC-70, SOT-323
Supplier Device Package : SOT-323

Sie könnten auch interessiert sein an
  • PBRN123ES,126

    NXP USA Inc.

    TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3.

  • FJN3302RTA

    ON Semiconductor

    TRANS PREBIAS NPN 0.3W TO92-3.

  • FJN4305RTA

    ON Semiconductor

    TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3.

  • FJN3305RTA

    ON Semiconductor

    TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3.

  • FJN4303RTA

    ON Semiconductor

    TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3.

  • DTC124EKA-TP

    Micro Commercial Co

    TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3L.