APT35GP120B2DQ2G Preise (USD) [4309Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- APT35GP120B2DQ2G
- Hersteller:
- Microsemi Corporation
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT 1200V 96A 543W TMAX.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - JFETs, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - Programmierbare Einheit and Dioden - Gleichrichter - Arrays ...
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APT35GP120B2DQ2G Produkteigenschaften
Artikelnummer :
APT35GP120B2DQ2G
Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
IGBT 1200V 96A 543W TMAX
Serie :
POWER MOS 7®
Teilestatus :
Active
IGBT-Typ :
PT
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
96A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) :
140A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
3.9V @ 15V, 35A
Leistung max :
543W
Energie wechseln :
750µJ (on), 680µJ (off)
Eingabetyp :
Standard
Gate Charge :
150nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C :
16ns/95ns
Testbedingung :
600V, 35A, 4.3 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
TO-247-3 Variant
Supplier Device Package :
-
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