Microsemi Corporation - APT35GP120B2DQ2G

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Artikelnummer:
APT35GP120B2DQ2G
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
IGBT 1200V 96A 543W TMAX.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - Gleichrichter - Single, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - IGBTs - Module, Leistungstreibermodule, Thyristoren - Thyristoren, Dioden - Zener - Arrays and Thyristoren - SCRs - Module ...
Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT35GP120B2DQ2G Produkteigenschaften

Artikelnummer : APT35GP120B2DQ2G
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : IGBT 1200V 96A 543W TMAX
Serie : POWER MOS 7®
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : PT
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 96A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) : 140A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 3.9V @ 15V, 35A
Leistung max : 543W
Energie wechseln : 750µJ (on), 680µJ (off)
Eingabetyp : Standard
Gate Charge : 150nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C : 16ns/95ns
Testbedingung : 600V, 35A, 4.3 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) : -
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : TO-247-3 Variant
Supplier Device Package : -

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