Infineon Technologies - BSS123NH6433XTMA1

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Artikelnummer:
BSS123NH6433XTMA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSS123NH6433XTMA1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : BSS123NH6433XTMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23
Serie : OptiMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 190mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 Ohm @ 190mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.8V @ 13µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 0.9nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 20.9pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 500mW (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : SOT-23-3
Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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