ZXMHC10A07T8TA Preise (USD) [106606Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- ZXMHC10A07T8TA
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Thyristoren - Thyristoren, Dioden - Zener - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single and Thyristoren - SCRs - Module ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Diodes Incorporated ZXMHC10A07T8TA elektronische Komponenten. ZXMHC10A07T8TA kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu ZXMHC10A07T8TA haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
ZXMHC10A07T8TA Produkteigenschaften
Artikelnummer :
ZXMHC10A07T8TA
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
1A, 800mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
700 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
2.9nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
138pF @ 60V
Leistung max :
1.3W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
SOT-223-8
Supplier Device Package :
SM8
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