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Comchip Technology - 1N5402T-G

KEY Part #: K6428532

1N5402T-G Preise (USD) [1221065Stück Lager]

  • 1 pcs$0.03029
  • 5,000 pcs$0.02489
Artikelnummer:
1N5402T-G
Hersteller:
Comchip Technology
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD. Diodes - General Purpose, Power, Switching VRRM=200V, IAV=3A
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - Zener - Arrays, Thyristoren - DIACs, SIDACs and Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Comchip Technology 1N5402T-G elektronische Komponenten. 1N5402T-G kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu 1N5402T-G haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N5402T-G Produkteigenschaften

Artikelnummer : 1N5402T-G
Hersteller : Comchip Technology
Beschreibung : DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1V @ 3A
Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 5µA @ 200V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : DO-201AD, Axial
Supplier Device Package : DO-27 (DO-201AD)
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 125°C

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