Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-GB400AH120N

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Artikelnummer:
VS-GB400AH120N
Hersteller:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detaillierte Beschreibung:
IGBT 1200V 650A 2500W INT-A-PAK.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-GB400AH120N Produkteigenschaften

Artikelnummer : VS-GB400AH120N
Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung : IGBT 1200V 650A 2500W INT-A-PAK
Serie : -
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : -
Aufbau : Single
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 650A
Leistung max : 2500W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 1.9V @ 15V, 400A (Typ)
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce : 30nF @ 25V
Eingang : Standard
NTC-Thermistor : No
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Double INT-A-PAK (5)
Supplier Device Package : Double INT-A-PAK

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