SIB900EDK-T1-GE3 Preise (USD) [414489Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SIB900EDK-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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SIB900EDK-T1-GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SIB900EDK-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
225 mOhm @ 1.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
1.7nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Leistung max :
3.1W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
PowerPAK® SC-75-6L Dual
Supplier Device Package :
PowerPAK® SC-75-6L Dual
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