Diodes Incorporated - ZXMN6A09DN8TA

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ZXMN6A09DN8TA Preise (USD) [73350Stück Lager]

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Artikelnummer:
ZXMN6A09DN8TA
Hersteller:
Diodes Incorporated
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ZXMN6A09DN8TA Produkteigenschaften

Artikelnummer : ZXMN6A09DN8TA
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 40 mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 24.2nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1407pF @ 40V
Leistung max : 1.25W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package : 8-SO

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