ZXMN6A09DN8TA Preise (USD) [73350Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- ZXMN6A09DN8TA
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Thyristoren - TRIACs, Dioden - RF, Leistungstreibermodule, Transistoren - IGBTs - Single and Thyristoren - DIACs, SIDACs ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Diodes Incorporated ZXMN6A09DN8TA elektronische Komponenten. ZXMN6A09DN8TA kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu ZXMN6A09DN8TA haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
ZXMN6A09DN8TA Produkteigenschaften
Artikelnummer :
ZXMN6A09DN8TA
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
4.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
40 mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
24.2nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1407pF @ 40V
Leistung max :
1.25W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
8-SO
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