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- Artikelnummer:
- IRFHM8363TR2PBF
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF and Transistoren - JFETs ...
- Wettbewerbsvorteil:
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IRFHM8363TR2PBF Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRFHM8363TR2PBF
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
14.9 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.35V @ 25µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
15nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1165pF @ 10V
Leistung max :
2.7W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-PowerVDFN
Supplier Device Package :
8-PQFN (3.3x3.3), Power33
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