Infineon Technologies - BSL806NL6327HTSA1

KEY Part #: K6523892

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    Artikelnummer:
    BSL806NL6327HTSA1
    Hersteller:
    Infineon Technologies
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET 2N-CH 20V 2.3A 6TSOP.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Leistungstreibermodule, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - Programmierbare Einheit and Thyristoren - SCRs - Module ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies BSL806NL6327HTSA1 elektronische Komponenten. BSL806NL6327HTSA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu BSL806NL6327HTSA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BSL806NL6327HTSA1 Produkteigenschaften

    Artikelnummer : BSL806NL6327HTSA1
    Hersteller : Infineon Technologies
    Beschreibung : MOSFET 2N-CH 20V 2.3A 6TSOP
    Serie : OptiMOS™
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
    FET-Funktion : Logic Level Gate
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.3A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 57 mOhm @ 2.3A, 2.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 750mV @ 11µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 1.7nC @ 2.5V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 259pF @ 10V
    Leistung max : 500mW
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Paket / fall : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    Supplier Device Package : PG-TSOP-6-6

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