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- Artikelnummer:
- SI3812DV-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - RF, Transistoren - IGBTs - Arrays, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF and Dioden - Gleichrichter - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SI3812DV-T1-GE3 elektronische Komponenten. SI3812DV-T1-GE3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SI3812DV-T1-GE3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SI3812DV-T1-GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SI3812DV-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP
Serie :
LITTLE FOOT®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
125 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
600mV @ 250µA (Min)
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
4nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
-
FET-Funktion :
Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.) :
830mW (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
6-TSOP
Paket / fall :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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