Microsemi Corporation - JANTXV1N5419US

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JANTXV1N5419US Preise (USD) [3733Stück Lager]

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Artikelnummer:
JANTXV1N5419US
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 500V 3A B-MELF. Diodes - General Purpose, Power, Switching Rectifier
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - IGBTs - Arrays, Thyristoren - TRIACs, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays and Dioden - Zener - Arrays ...
Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTXV1N5419US Produkteigenschaften

Artikelnummer : JANTXV1N5419US
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : DIODE GEN PURP 500V 3A B-MELF
Serie : Military, MIL-PRF-19500/411
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 500V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.5V @ 9A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 250ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 1µA @ 500V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SQ-MELF, B
Supplier Device Package : D-5B
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 175°C

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