IXFN32N60 Preise (USD) [2866Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IXFN32N60
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 600V 32A SOT-227.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - Zener - Arrays, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - IGBTs - Single and Thyristoren - TRIACs ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf IXYS IXFN32N60 elektronische Komponenten. IXFN32N60 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXFN32N60 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IXFN32N60 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXFN32N60
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600V 32A SOT-227
Serie :
HiPerFET™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
32A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
250 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 8mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
325nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
9000pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
520AW (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Chassis Mount
Supplier Device Package :
SOT-227B
Paket / fall :
SOT-227-4, miniBLOC
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