BUK9K29-100E,115 Preise (USD) [135402Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- BUK9K29-100E,115
- Hersteller:
- Nexperia USA Inc.
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 100V 30A LFPAK56D.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Thyristoren - TRIACs and Leistungstreibermodule ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Nexperia USA Inc. BUK9K29-100E,115 elektronische Komponenten. BUK9K29-100E,115 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu BUK9K29-100E,115 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
BUK9K29-100E,115 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BUK9K29-100E,115
Hersteller :
Nexperia USA Inc.
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 100V 30A LFPAK56D
Serie :
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
27 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
54nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3491pF @ 25V
Leistung max :
68W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
SOT-1205, 8-LFPAK56
Supplier Device Package :
LFPAK56D
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