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GeneSiC Semiconductor - 1N3296A

KEY Part #: K6425499

1N3296A Preise (USD) [2920Stück Lager]

  • 1 pcs$14.82951
  • 50 pcs$10.02312
Artikelnummer:
1N3296A
Hersteller:
GeneSiC Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 1.2KV 100A DO205. Diodes - General Purpose, Power, Switching SI STND RECOV DO-8 200-1400V 100A1200PV
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Thyristoren - SCRs - Module and Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf GeneSiC Semiconductor 1N3296A elektronische Komponenten. 1N3296A kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu 1N3296A haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N3296A Produkteigenschaften

Artikelnummer : 1N3296A
Hersteller : GeneSiC Semiconductor
Beschreibung : DIODE GEN PURP 1.2KV 100A DO205
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 1200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 100A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.5V @ 100A
Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 9mA @ 1200V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Chassis, Stud Mount
Paket / fall : DO-205AA, DO-8, Stud
Supplier Device Package : DO-205AA (DO-8)
Betriebstemperatur - Übergang : -40°C ~ 200°C
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