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  5. GB2X50MPS12-227

GeneSiC Semiconductor - GB2X50MPS12-227

KEY Part #: K6472760

GB2X50MPS12-227 Preise (USD) [1020Stück Lager]

  • 1 pcs$45.48386
Artikelnummer:
GB2X50MPS12-227
Hersteller:
GeneSiC Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
SIC DIODE 1200V 100A SOT-227. Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Merged PiN Schottky (MPS) Diode 1200V 100A SOT-227
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - IGBTs - Single, Thyristoren - TRIACs, Leistungstreibermodule, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) and Transistoren - Programmierbare Einheit ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf GeneSiC Semiconductor GB2X50MPS12-227 elektronische Komponenten. GB2X50MPS12-227 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu GB2X50MPS12-227 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GB2X50MPS12-227 Produkteigenschaften

Artikelnummer : GB2X50MPS12-227
Hersteller : GeneSiC Semiconductor
Beschreibung : SIC DIODE 1200V 100A SOT-227
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodenkonfiguration : 2 Independent
Diodentyp : Silicon Carbide Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 1200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) : 93A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.8V @ 50A
Geschwindigkeit : No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 0ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 40µA @ 1200V
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 175°C
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : SOT-227-4, miniBLOC
Supplier Device Package : SOT-227
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